A pesar de la reciente escasez de componentes de hardware de PC, los avances tecnológicos no pueden detenerse. Ahora Samsung, líder mundial en semiconductores y memorias, ha confirmado el desarrollo de nuevas memorias RAM bajo el nuevo DDR5 con capacidades que alcanzan cifras inimaginables y que dejan atrás todo lo visto hasta ahora.
La compañía comenzará a fabricar módulos unitarios de RAM DDR5 de 512GB desarrollados con la tecnología HKMG (High-K Metal Gate) y que fue usada en los módulos GDDR6 que usaron tarjetas gráficas en el 2018. Se anuncia que se lograrán velocidades de transferencia de hasta 7.200 Mbps consumiendo un 13% menos de energía que generaciones pasadas.
Cada módulo usará ocho capas de chips DRAM de 16 Gbits con la capacidad de manejar anchos de banda de 57,6 GB/s en un único canal, además de ser compatibles con la futura arquitectura ‘Sapphire Rapids’ de los próximos procesadores de Intel Xeon.
Si bien todas estas características suenan alucinantes hay que tener en cuenta que estas memorias están destinadas a centros de datos y de supercomputación que necesitan esta potencia para poder manejar su inmensa necesidad de cálculo de datos. Con respecto a su salida para usuarios comunes, se rumorea que podamos ver un avance todavía el próximo año con la presentación de arquitectura Zen 4 de AMD que estrenaría soporte DDR5.