IBM y Samsung anuncian un nuevo avance que podría alargar la batería de los teléfonos una semana
El avance tecnológico no suele detenerse, con grandes avances y novedades presentándose cada cierto tiempo. Esta semana IBM y Samsung han anunciado su colaboración en un nuevo diseño de chip que podría cambiar el terreno de los dispositivos móviles como los conocemos. Si bien se han realizado grandes logros en esta categoría, uno de los cuales siempre se ha luchado es el consumo y el rendimiento.
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Lo que ambas compañías prometen ahora con su nuevo descubrimiento es alargar hasta una semana completa la duración de batería en estos equipos. Su nuevo chip lleva por nombre “transistores de efecto de campo de transporte vertical” o VTFET, estudiado y desarrollado conjuntamente en el complejo de nanotecnología de Albany en New York.
Está nueva configuración propone cambiar la forma en la cual se apilan los transistores, haciéndolo ahora de manera vertical en lugar de lado a lado como regularmente se hace. Este nuevo chip es capaz de elevar radicalmente el techo en términos de cantidad de transistores que se pueden juntar en una sola área de superficie pequeña y que mejorará los puntos de contacto permitiendo un mejor flujo de corriente con menos energía desperdiciada, según explican.
Samsung e IBM predicen que de aplicarse su avance se podría reducir el uso de energía en un 85% en comparación con los chips de transistores de efecto de campo de aletas (finFET) comparables, ofreciendo hasta un doble de rendimiento. Esto daría lugar a equipos móviles más eficientes pudiendo alargar la duración de su batería hasta más de una semana sin cargarse.